高速空乏型氮化鎵功率元件參數驗證

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姓名

劉宗興(Chung-Hsing Liu) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

高速空乏型氮化鎵功率元件參數驗證
(Parameter Verification of High Speed Depletion-Mode GaN Power Devices)

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摘要(中)

氮化鎵(GaN)功率電晶體具有高載子遷移率、高崩潰電壓、高電流密度、低導通電阻、低柵極電荷，以及低輸出電容等材料特性，適合用於功率電子電路中所需的高速開關。
本篇論文主要設計簡易測量電路用於量測空乏型氮化鎵功率電晶體之部分電性參數，電路設計的重點在校正測量開關切換時間、閘極電荷，以及閘極電壓-汲極電流曲線三種參數，以供後續功率電路設計所需，文中詳細說明測量電路設計以及量測方法，並比對測量值與估計值的誤差，因受限於所設計的測量電路，測量值誤差約達32%。

摘要(英)

Gallium Nitride (GaN) power transistors exist better material properties than Si-based transistors such as higher electron mobility, higher breakdown voltage, higher current density, lower on-state resistance, lower gate charge and smaller output capacitance. It is particularly suitable to function as high speed switches for power electronic circuit applications.
The thesis aims to design a circuit module to measure three electrical parameters of depletion-mode GaN power transistors in order to provide information for power electronic circuit design. Three major parameters include switching time, gate charge, and DC-IV curve. A detailed description of the designed circuits is given and measurement results are compared to the estimation model. The measurement error is about 32% because of design issues of the circuit module.

關鍵字(中)

★ 空乏型
★ 氮化鎵
★ 閘極電荷
★ 開關切換時間

關鍵字(英)

★ Depletion-mode
★ GaN
★ gate charge
★ switching time

論文目次

摘要 I
Abstract II
誌謝 III
目錄 IV
圖目錄 VII
表目錄 X
符號說明 XI
第一章緒論 1
1.1 研究動機 1
1.2 氮化鎵器件應用 1
1.3 論文架構 3
第二章 GaN器件電性參數 4
2.1 GaN功率器件簡介 4
2.2 GaN功率器件DC-IV 7
2.3 GaN功率器件動態特性 8
第三章功率元件電性參數量測 12
3.1開關切換時間量測(Switching time test) 13
3.1.1 實驗目的與儀器 13
3.1.2 實驗原理 13
3.1.3 IRF510 實驗步驟 15
3.1.4 BSS159N 實驗步驟 15
3.1.5 UDGM 實驗步驟 16
3.1.6 實驗結果與討論 17
3.2 閘極電荷量測(Gate charge test) 24
3.2.1 實驗目的與儀器 24
3.2.2 實驗原理 24
3.2.3 IRF510 實驗步驟 26
3.2.4 BSS159N 實驗步驟 28
3.2.5 UDGM 實驗步驟 28
3.2.6 實驗結果與討論 29
3.3電流-電壓特性曲線量測(I-V curve test) 36
3.3.1 實驗目的與儀器 36
3.3.2 實驗原理及步驟 37
3.3.3 IRF510 實驗結果與討論 37
3.3.4 UDGM 實驗結果 39
第四章量測參數驗證 40
第五章結論 43
參考文獻 44

參考文獻

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指導教授

夏勤、陳竹一(Chin Hsia Jwe-E Chen)

審核日期

2017-8-11

推文