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姓名 黃大祐(Ta-Yu Huang) 查詢紙本館藏 畢業系所 電機工程學系 論文名稱 具共用方塊無偏移技術之2.4 GHz類比式雙迴路校正倍頻延遲鎖相迴路
(2.4 GHz Analog Dual Loop Calibration Multiplying Delay Locked Loop with Block-Sharing Offset-Free Technology)相關論文 檔案 [Endnote RIS 格式] [Bibtex 格式] [相關文章] [文章引用] [完整記錄] [館藏目錄] [檢視] [下載]
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摘要(中) 本論文提出以無除頻器與類比式為架構的2.4 GHz具有雙迴路校正的倍頻延遲鎖相迴路,並且使用共用方塊無偏移技術來校正因週期性注入而產生的參考突波和定量性抖動。在倍頻延遲鎖相迴路上,週期性注入參考輸入時脈,以重置相位且消除累積抖動,並且使得迴路頻寬等效變大,有助於壓制振盪器的高頻雜訊,但因週期性注入參考時脈的行為,導致定量性抖動與參考突波的產生。在校正參考突波的方面,本篇使用延遲線迴路儲存振盪週期之週期時間,並且使用共用方塊無偏移技術,將不同時間點的振盪週期與注入週期作比較並精準調整振盪器頻率,以達到週期之間相等並降低參考突波。由於使用共用方塊無偏移技術,使得電路上的偏移會因為共用而被互相消除,以提升降低參考突波的效果。
本論文使用90 nm 1P9M (TN90GUTM)之CMOS製程來實現,電路操作電壓為1 V,參考輸入時脈頻率為50 MHz,高頻輸出時脈頻率為2.4 GHz。以下為佈局後模擬的數據,沒有校正時脈之參考突波為-24.2 dBc,經過校正時脈之參考突波為-54.5 dBc,因此有效降低30.3 dBc的參考突波,時脈之峰對峰值抖動量10.3 ps,方均根值抖動量為1.7 ps,振盪器的相位雜訊在1 MHz條件下為-92.6 dBc/Hz,經過倍頻延遲鎖相迴路的輸出相位雜訊降至-116.7 dBc/Hz,積分之方均根抖動量為0.4 ps,且功率消耗為6.58 mW,晶片面積為1.28 mm2,核心電路面積為0.057 mm2。摘要(英) A 2.4 GHz multiplying delay locked loop with dual-loop calibration based on no divider and analog structure is presented in this thesis. And use the block-sharing offset-free technology to calibrate the reference spur and deterministic jitter caused by periodic injection. In the multiplying delay locked loop, the reference input clock is periodically injected to reset the phase error and eliminate the accumulated jitter, and make the loop bandwidth equivalently larger, which helps to suppress the high-frequency noise of the oscillator. However, the behavior of periodic injection can cause deterministic jitter and reference spur. In terms of calibrating reference spur, this article uses a delay line loop to store the cycle time of the oscillation cycle. By using the block-sharing offset-free technology, the oscillation period and the injection period at different time points are compared at the same time. And accurately adjust the oscillator frequency to achieve equal cycle between periods and reduce the reference spur. As a result of the block-sharing offset-free technology, the offset of the circuit will cancel each other without affecting the calibration result. Thereby improving the effect of reducing the reference spur.
The proposed multiplying delay locked loop is manufactured using TSMC 90nm 1P9M CMOS process. The power supply voltage is 1 V, the input reference frequency is 50 MHz, and the operating frequency is 2.4 GHz. The following is the simulation result after layout. The uncalibrated reference spur of the clock is -24.2 dBc, and the reference spur of the calibrated clock is -54.5 dBc. Therefore, the reference spur is reduced by 30.3 dBc. The peak-to-peak jitter of the clock is 10.3 ps, and the root-mean-square jitter is 1.7 ps. The phase noise of the oscillator is equal to -92.6 dBc/Hz at a frequency offset of 1 MHz. The output phase noise after the multiplying delay lock loop is reduced to -116.7 dBc/Hz. The integrated root-mean-square jitter is 0.4 ps, and the power consumption is 6.58 mW. The full chip area is 1.28 mm2 and the core area is 0.057 mm2.關鍵字(中) ★ 倍頻延遲鎖定迴路 關鍵字(英) ★ Multiplying Delay Locked Loop 論文目次 摘要 ii
Abstract iii
誌謝 v
目錄 vi
圖目錄 ix
表目錄 xiii
第1章 緒論 1
1.1 研究動機 1
1.2 論文架構 3
第2章 倍頻延遲鎖相迴路之背景簡介 4
2.1 倍頻延遲鎖相迴路電路簡介 4
2.1.1 時脈產生器 4
2.1.2 操作說明 5
2.1.3 參考突波 7
2.1.4 無須頻率偵測器 11
2.1.5 須初始化輸出頻率 & 操作頻率限制 12
2.2 倍頻延遲鎖相迴路電路之架構 13
2.2.1 具除頻器之傳統倍頻延遲鎖相迴路 13
2.2.2 無除頻器之傳統倍頻延遲鎖相迴路 14
2.3 抑制參考突波之設計背景 15
2.3.1 校正延遲時間(ΔT) 15
2.3.2 檢測週期之間差異 18
2.4 架構與校正技術的選用 23
2.4.1 架構選用 23
2.4.2 校正技術 23
第3章 具共用方塊無偏移技術之2.4 GHz類比式雙迴路校正倍頻延遲鎖相迴路 26
3.1 簡介 26
3.2 設計流程 27
3.3 電路架構 28
3.4 操作說明 29
3.4.1 初始化模式 30
3.4.2 倍頻延遲鎖相迴路之快鎖模式 31
3.4.3 具共用方塊無偏移技術之時間儲存比較器之校正模式 34
3.5 系統分析 40
3.5.1 倍頻延遲鎖相迴路系統分析 40
3.6 行為模擬 48
第4章 電路設計考量與整體電路模擬 51
4.1 電路設計與考量 51
4.1.1 相位頻率偵測器 51
4.1.2 修改型相位頻率偵測器 52
4.1.3 電荷幫浦 54
4.1.4 初始化電路與迴路濾波器 55
4.1.5 多工環形壓控振盪器 56
4.1.6 電壓控制延遲線 58
4.1.7 選擇器 59
4.1.8 最後計數器 60
4.1.9 邊緣產生器 61
4.1.10 相鄰邊緣選擇器 62
4.1.11 校正控制器 63
4.2 模擬結果 64
4.2.1 控制電壓鎖定波形圖 65
4.2.2 佈局前模擬-無校正快鎖模式 66
4.2.3 佈局前模擬-校正模式 67
4.2.4 佈局後模擬-無校正快鎖模式 68
4.2.5 佈局後模擬-校正模式 69
4.2.6 結果整理-無校正快鎖與校正之比較 70
4.2.7 相位雜訊模擬 72
4.3 規格比較表 73
第5章 晶片佈局與量測 74
5.1 電路佈局 74
5.1.1 晶片封裝 76
5.1.2 佈局與電源規劃 78
5.2 量測考量 79
5.2.1 量測環境 79
5.2.2 印刷電路板等效模型 80
5.2.3 高頻輸出緩衝器 81
5.2.4 低頻輸入緩衝器 82
5.2.5 低頻輸出緩衝器 84
第6章 結論 85
6.1 結論 85
6.2 未來研究方向 86
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