砷化鎵高速電子遷移率之電晶體微波/毫米波放大器設計; Microwave/Millimeter-wave Amplifier using GaAs HEMT device

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題名:	砷化鎵高速電子遷移率之電晶體微波/毫米波放大器設計;Microwave/Millimeter-wave Amplifier using GaAs HEMT device
作者:	羅勝名;Sheng-ming Luo
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	低雜訊放大器;電感提升;分佈式放大器;distributed amplifier;low noise amplifie;inductive peaking
日期:	2008-06-30
上傳時間:	2009-09-22 12:12:11 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	近年來無線通訊的迅速發展，微波與毫米波元件議題日漸重要。本論文主要討論0.15 um MHEMT製程與0.15 um PHEMT製程在射頻電路低雜訊放大器上應用，並利用0.5 um PHEMT製程設計加入電感提升的分佈式放大器，希望可以解決高頻率的小訊號增益，改善通訊系統中各級輸出的訊號的強度。第一章為整篇論文的緒論，第二章分析0.15 um MHEMT製程的小訊號特性，使用HP IC-CAP軟體，搭配HP-8510C網路分析儀與HP-4142B直流分析儀量測元件的高頻特性，並將萃取出來的小訊號模型，於第三章分別設計成K頻段與Q頻段的低雜訊放大器，再與第四章利用0.15 um PHEMT製程所設計的K頻段低雜訊放大器做比較，同時也設計K頻段功率放大器，希望可以和低雜訊放大器一起整合在汽車雷達通訊系統中，第五章則是利用0.5 um PHEMT製程以電感提升的方式設計疊接分佈式寬頻放大器，希望電感提升的設計方式可以達到相當寬的頻寬，再使用90 nm CMOS 製程，希望實現有80 GHz的頻寬。近年來無線通訊的迅速發展，微波與毫米波元件議題日漸重要。本論文主要討論0.15 um MHEMT製程與0.15 um PHEMT製程在射頻電路低雜訊放大器上應用，並利用0.5 um PHEMT製程設計加入電感提升的分佈式放大器，希望可以解決高頻率的小訊號增益，改善通訊系統中各級輸出的訊號的強度。第一章為整篇論文的緒論，第二章分析0.15 um MHEMT製程的小訊號特性，使用HP IC-CAP軟體，搭配HP-8510C網路分析儀與HP-4142B直流分析儀量測元件的高頻特性，並將萃取出來的小訊號模型，於第三章分別設計成K頻段與Q頻段的低雜訊放大器，再與第四章利用0.15 um PHEMT製程所設計的K頻段低雜訊放大器做比較，同時也設計K頻段功率放大器，希望可以和低雜訊放大器一起整合在汽車雷達通訊系統中，第五章則是利用0.5 um PHEMT製程以電感提升的方式設計疊接分佈式寬頻放大器，希望電感提升的設計方式可以達到相當寬的頻寬，再使用90 nm CMOS 製程，希望實現有80 GHz的頻寬。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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