多孔矽發光二極體之研製; Fabrication and Characterization of Porous Silicon Light-Emitting Diodes

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題名:	多孔矽發光二極體之研製;Fabrication and Characterization of Porous Silicon Light-Emitting Diodes
作者:	洪志旺;綦振瀛
貢獻者:	電機工程學系
關鍵詞:	多孔矽;發光二極體;Porous silicon;Light-emitting diode;光電工程
日期:	1994-01-01
上傳時間:	2010-05-28 10:26:32 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	多孔矽材料的研究在近幾年來相當受重視.在其物理特性方面,大部份認為具有量子侷限作用, 而由原來非直接能隙之矽晶轉成直接能隙之多孔矽材料,進而在傳統矽晶無法達到之發光特性上有重大突破.本計畫擬藉多孔矽材料量子侷限作用,可發出可見光的特性研製多孔矽發光二極體.首先研製適合於發光元件之多孔矽材料,接著於製備完成的多孔矽材料上蒸鍍各種導電金屬膜形成蕭特基接面,在接面兩端加上直流或交流電壓時應可發出可見光.第二階段擬研製歐姆接觸式發光二極體.首先在多孔矽材料上沉積摻雜的N型或P型非晶矽,或微晶矽薄膜作為歐姆接觸層,再於其上鍍金屬電極完成元件之製作.由此,可藉由電子或電洞之注入及複合而發光.由於非晶矽或微晶矽的能隙較小,發射出來的光部份會被該層吸收,所以除用非晶矽或微晶矽材料外本計畫亦擬利用非晶碳化矽或微晶碳化矽作為歐姆接觸層材料.研究期間：8202 ~ 8301
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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