HIGH-PERFORMANCE METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR WITH A THIN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON LAYER ON CRYSTALLINE SILICON

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题名:	HIGH-PERFORMANCE METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR WITH A THIN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON LAYER ON CRYSTALLINE SILICON
作者:	LAIH,LH;TSAY,WC;CHEN,YA;JEN,TS;YUANG,RH;HONG,JW
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SCHOTTKY
日期:	1995
上传时间:	2010-06-29 20:23:20 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A thin intrinsic hydrogenated amorphous silicon (i-a-Si:H) layer was used to improve the performance of Si metal-semiconductor-metal photodetectors (MSM-PDs). At a bias of 10V, this a-Si:H MSM-PD had a rise time of 25ps and an FWHM of 55ps for temporal response, a dark current density of 690fA/mu m(2), a responsivity of 0.7 A/W and a spectral response peaking at 700nm.
關聯:	ELECTRONICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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