Fabrication of periodic nickel silicide nanodot arrays using nanosphere lithography

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題名:	Fabrication of periodic nickel silicide nanodot arrays using nanosphere lithography
作者:	Cheng SL,Lu SW,Li CH,Chang YC,Huang CK,Chen H
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	EPITAXIAL-GROWTH;CMOS TECHNOLOGIES;OXIDE OPENINGS;THIN-FILMS;NISI2;SI;COSI2;TRANSFORMATION;NANOWIRES;MECHANISM
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-06 15:59:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The interfacial reactions of the 2D-ordered nickel metal nanodots that were prepared by polystyrene nanosphere lithography (NSL) on Si substrates after different heat treatments have been investigated. Epitaxial NiSi2 nanodot arrays were found to form at
關聯:	THIN SOLID FILMS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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