Preparation of TiO2-doped ZnO films by radio frequency magnetron sputtering in ambient hydrogen-argon gas

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題名:	Preparation of TiO2-doped ZnO films by radio frequency magnetron sputtering in ambient hydrogen-argon gas
作者:	Chung,Jeng-Lin;Chen,Jyh-Chen;Tseng,Chung-Jen
貢獻者:	機械工程研究所
關鍵詞:	OXIDE THIN-FILMS;ZINC-OXIDE;OPTICAL-PROPERTIES;AR+H-2 AMBIENT;TEMPERATURE;TRANSMITTANCE;TIME
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 16:17:43 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Highly conductive, transparent TiO2-doped ZnO films are grown by radio frequency (RF) magnetron sputtering in ambient hydrogen-argon (Ar + H-2) gas at a temperature of 150 degrees C and the effects of the Ti and H-2 content on the structural, electrical,
關聯:	APPLIED SURFACE SCIENCE
顯示於類別:	[機械工程研究所] 期刊論文

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