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    题名: The growth of an epitaxial Mg-Al spinel layer on sapphire by solid-state reactions
    作者: Liu,CM;Chen,JC;Chen,CJ
    贡献者: 機械工程研究所
    关键词: SYSTEM MGO-AL2O3;ALUMINUM-OXIDE;THIN-FILMS;INTERDIFFUSION;MAGNESIUM;ORIENTATION;DIFFUSION;INTERFACE;MECHANISM;MGAL2O4
    日期: 2005
    上传时间: 2010-07-06 16:27:29 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: In this work an epitaxial Mg-Al spinel layer was successfully grown on a sapphire single crystal surface by solid-state reactions. An Mg film (15 mu m) was sputtered onto the sapphire crystal using RF magnetron sputtering. An epitaxial Mg-Al spinel layer
    關聯: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    显示于类别:[機械工程研究所] 期刊論文

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