An InP/InGaAs/InP DHBT with high power density at Ka-band

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/31789

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/31789

題名:	An InP/InGaAs/InP DHBT with high power density at Ka-band
作者:	Wang,Che-Ming;Huang,Shou-Chien;Huang,Wei-Kuo;Hsin,Yue-Ming
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS;PERFORMANCE;COLLECTOR;BASE;AMPLIFIER;SINGLE;F(T);GHZ
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 18:11:36 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	An InP/InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor was fabricated and its Ka-band power performance characterized. The device employed a 30 nm highly doped InGaAs base, and a 150 nm collector with an InAlGaAs linearly graded at the base-collector
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS????
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	576	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing