Light Output Enhancement of InGaN Light-Emitting Diodes Grown on Masklessly Etched Sapphire Substrates

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題名:	Light Output Enhancement of InGaN Light-Emitting Diodes Grown on Masklessly Etched Sapphire Substrates
作者:	Lin,Hung-Cheng;Lin,Ruo-Syuan;Chyi,Jen-Inn;Lee,Chia-Ming
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH;VAPOR-PHASE EPITAXY;NEAR-ULTRAVIOLET;DISLOCATION DENSITY;QUANTUM EFFICIENCY;GAN;POWER;REDUCTION;ELECTRODE
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 18:13:09 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A maskless wet-etching method is used to prepare patterned sapphire substrates for enhancing the output power of InGaN light-emitting diodes (LEDs). Blue LEDs grown on the patterned sapphire substrates exhibit an output power of 24.9 mW, which is 19.4% hi
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS????
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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