Separate absorption-charge multiplication heterojunction phototransistors with the bandwidth-enhancement effect and ultrahigh gain-bandwidth product under near avalanche operation

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題名:	Separate absorption-charge multiplication heterojunction phototransistors with the bandwidth-enhancement effect and ultrahigh gain-bandwidth product under near avalanche operation
作者:	Shi,J. -W.;Wu,Y. -S.;Hong,F-C.;Chiu,W. -Y.
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	PERFORMANCE;PHOTODIODE
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 18:14:08 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We demonstrate a high-performance heterojunction phototransistor (HPT): separate absorption-charge multiplication HPT. The incorporation of an In0.52Al0.48As-based multiplication layer in the In0.53Ga0.47As-based collector layer of our HPT allows for a gr
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS????
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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