Voltage-tunable SiO2-isolated a-SiC : H and/or a-SiN : H p-i-n thin-film LEDs fabricated on c-Si

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题名:	Voltage-tunable SiO2-isolated a-SiC : H and/or a-SiN : H p-i-n thin-film LEDs fabricated on c-Si
作者:	Yeh,Rong-Hwei;Liu,Wen-Hsiung;Lo,Shih-Yung;Hong,Jyh-Wong
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	LIGHT-EMITTING DIODE;ELECTROLUMINESCENCE;PHOTOLUMINESCENCE;LAYERS;SIO2-FILMS
日期:	2006
上传时间:	2010-07-06 18:22:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A voltage-tunable amorphous p-i-n thin-film light emitting diodes (TFLEDs) with SiO2-isolation on n(+)-type crystalline silicon (c-Si) has been proposed and fabricated successfully. The structure of the device with i-a-SiC:H and i-a-SiN:H luminescent laye
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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