1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on GaAs

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題名:	1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on GaAs
作者:	Hsieh,TP;Chiu,PC;Chyi,JI;Yeh,NT;Ho,WJ;Chang,WH;Hsu,TM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;LAYER;LASERS;MATRIX
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:22:17 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report a comparative study on the growth of InAs quantum dots (QDs) on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition using triethylgallium (TEGa) and trimethylgallium (TMGa) for the GaAs cap layer. QDs exhibit 1.3 mu m photoluminescence (PL) at room t
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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