Effect of Cl-2/Ar dry etching on p-GaN with Ni/Au metallization characterization

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題名:	Effect of Cl-2/Ar dry etching on p-GaN with Ni/Au metallization characterization
作者:	Hsueh,KP;Hsu,HT;Wang,CM;Huang,SC;Hsin,YM;Sheu,JK
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS;SINGLE-CRYSTAL GAN;III-V NITRIDES;FABRICATION;EMITTER;DEVICES;DIODES;BASE
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:23:20 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This work investigates the effect of Cl-2/Ar dry etching on p-GaN. The root-mean-square (rms) surface roughness is measured, and the depth display (Bearing analysis) is monitored. The current-voltage characteristics of etched p-GaN with Ni (20 nm)/Au (20
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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