Fabrication of a germanium quantum-dot single-electron transistor with large Coulomb-blockade oscillations at room temperature

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題名:	Fabrication of a germanium quantum-dot single-electron transistor with large Coulomb-blockade oscillations at room temperature
作者:	Li,PW;Liao,WM;Kuo,DMT;Lin,SW;Chen,PS;Lu,SC;Tsai,MJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	OXIDATION
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:26:25 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A simple and complementary metal-oxide-semiconductor-compatible method for fabricating germanium (Ge) single-electron transistors (SETs) is proposed, in which the Ge quantum dots (QDs) are naturally formed by selective oxidation of Si0.95Ge0.05/Si wires o
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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