Si+ ion implanted MPS bulk GaN diodes

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題名:	Si+ ion implanted MPS bulk GaN diodes
作者:	Irokawa,Y;Kim,J;Ren,F;Baik,KH;Gila,BP;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI;Park,SS
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	P-I-N;SCHOTTKY RECTIFIERS;BREAKDOWN VOLTAGE;POWER RECTIFIERS;EDGE TERMINATION;DESIGN;PERFORMANCE;SINGLE
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:28:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The fabrication of GaN merged p-i-n/Schottky (MPS) diodes using Si+ ion implantation into p-epi layers on bulk, free-standing GaN substrates is reported. Diode diameters from 50 to 500 mum were investigated. These initial NIPS diodes show larger turn-on v
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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