0.2-mu m gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for C-band MMIC amplifier applications

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題名:	0.2-mu m gate-length InGaP-InGaAs DCFETs for C-band MMIC amplifier applications
作者:	Chiu,HC;Yang,SC;Lin,CK;Hwu,MJ;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MODEL
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:28:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A C-band In0.49Ga0.51P-In0.15Ga0.85As doped-channel FET (DCFET) monolithic power amplifier was designed and fabricated using low-k benzocyclobutene (BCB) interlayer technology. With a photosensitive low-k BCB interlayer (epsilon = 2.7), not only can the c
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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