Activation kinetics of implanted Si+ in GaN and application to fabricating lateral Schottky diodes

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題名:	Activation kinetics of implanted Si+ in GaN and application to fabricating lateral Schottky diodes
作者:	Irokawa,Y;Kim,J;Ren,F;Baik,KH;Gila,BP;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	LIQUID-NITROGEN TEMPERATURE;ION-IMPLANTATION;SURFACE EROSION;BOMBARDMENT;DISORDER;NITRIDE;DAMAGE;SEMICONDUCTORS;DIFFUSION;LOCATION
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:28:42 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The electrical activation characteristics of implanted Si+ in GaN were investigated as a function of annealing temperature (1000 degreesC-1200 degreesC). The maximum activation percentage for an ion dose of 2.5x10(14) cm(-2) was similar to30% with an appa
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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