DC and RF characteristics of E-mode Ga0.51In0.49P-In0.15Ga0.85As pseudomorphic HEMTs

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題名:	DC and RF characteristics of E-mode Ga0.51In0.49P-In0.15Ga0.85As pseudomorphic HEMTs
作者:	Tu,HY;Chou,TH;Lin,YS;Chiu,HC;Chen,PY;Wu,WC;Lu,SS
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	INGAP/INGAAS/GAAS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:28:55 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The dc and RF characteristics of Ga0.49In0.51 P-In0.15Ga0.85As enhancement-mode pseudomorphic HEMTs (pHEMTs) are reported for the first time. The transistor has a gate length of 0.8 mum and a gate width of 200 mum. It is found that the device can be opera
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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