Effects of annealing on the hydrogen concentration and the performance of InGaP/InGaAsN/GaAs heterojunction bipolar transistors

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题名:	Effects of annealing on the hydrogen concentration and the performance of InGaP/InGaAsN/GaAs heterojunction bipolar transistors
作者:	Hsin,YM;Hsu,HT;Hseuh,KP;Tang,WB;Fan,CC;Wang,CH;Chen,CW;Li,NY
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	BASE
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:29:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The effects of rapid thermal annealing (RTA) on InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors (HBTs) with a carbon-doped base have been studied. The hydrogen and nitrogen concentrations in the base, as well as the direct current (DC) and radio frequenc
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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