High performance Si/SiGe heterostructure MOSFETs for low power analog circuit applications

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題名:	High performance Si/SiGe heterostructure MOSFETs for low power analog circuit applications
作者:	Li,PW;Liao,WM;Shih,CC;Kuo,TS;Lai,LS;Tseng,YT;Tsai,MJ
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:24 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have demonstrated a high performance Si1-xGex pMOSFET technology for low power circuit applications. The incorporation of 30% Ge in the strained Si1-xGex channel provides a drive current enhancement by a factor of 2.7 over its counterpart Si bulk pMOSF
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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