High-brightness inverted InGaN-GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes without a transparent conductive layer

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32486

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32486

題名:	High-brightness inverted InGaN-GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes without a transparent conductive layer
作者:	Lee,CM;Chuo,CC;Chen,IL;Chang,JC;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	P-TYPE GAN;LOW-OPERATION VOLTAGE;OHMIC CONTACTS;SUPERLATTICE
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:26 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Unlike the conventional, layer structure of an InGaN-GaN multiple-quantum-well light-emitting diode (LED), an LED with reversed p-type and n-type layer sequence, and an n+/p+ tunnel junction has been investigated. When operated at 20 mA, the output power
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	404	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing