High-sensitivity planar Si-based MSM photodetector with very thin amorphous silicon-alloy quantum-well-like barrier layers

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题名:	High-sensitivity planar Si-based MSM photodetector with very thin amorphous silicon-alloy quantum-well-like barrier layers
作者:	Lin,CS;Tu,LP;Yeh,RH;Hong,JW
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS;HETEROJUNCTIONS;WAFER
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:29:28 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A high-sensitivity, low dark-current planar Si-based metal-semiconductor-metal photodetector (PD) has been successfully fabricated. Under a very weak 0.83-mum incident light power (0.5 muW) and a 4-V bias voltage, the device photocurrent-to-dark-current r
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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