Mechanisms for photon-emission enhancement with silicon doping in InGaN/GaN quantum-well structures

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32495

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32495

題名:	Mechanisms for photon-emission enhancement with silicon doping in InGaN/GaN quantum-well structures
作者:	Cheng,YC;Tseng,CH;Hsu,C;Ma,KJ;Feng,SW;Lin,EC;Yang,CC;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	OPTICAL-PROPERTIES;MULTIQUANTUM WELLS;SI;GAN;BARRIERS;LUMINESCENCE;DEPENDENCE;TRANSPORT
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:44 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Material and optical analyses of three InGaN/GaN quantum-well (QW) samples with different silicon-doping conditions were conducted. Quantum-dot (QD) structures were observed in samples of silicon doping either in barriers or wells. The calibrated-radiativ
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	491	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing