Submicron RIE recessed InGaP/InGaAs doped-channel FETs

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題名:	Submicron RIE recessed InGaP/InGaAs doped-channel FETs
作者:	Yang,SC;Chiu,HC;Hwu,MJ;Wang,WK;Lin,CK;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	PSEUDOMORPHIC HEMTS;MODFETS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:30:00 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High performance submicron In0.49Ga0.51P/In0.15Ga0.85As doped-channel heterostructure field effect transistors (HFETs) have been developed and characterized. In order to achieve a high uniformity of device characteristics crossing the wafer, BCl3+CHF3 rea
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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