Carrier transfer effects and thermal activation behaviors in the photoluminescence of In(Ga)As self-assembled quantum dots

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題名:	Carrier transfer effects and thermal activation behaviors in the photoluminescence of In(Ga)As self-assembled quantum dots
作者:	Chang,WH;Hsu,TM;Yeh,NT;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	TEMPERATURE-DEPENDENCE;WELL STRUCTURES;LINE-SHAPE;EMISSION;RELAXATION;EXCITONS;ESCAPE;LASERS
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:30:57 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the temperature-dependent [photoluminescence] (PL) of InAs and InxGa1-xAs quantum-dot (QD) systems. Due to the effect of carrier transport in the wetting layer (WL), anomalous increases in the QD PL intensity at low temperatures are found. Sever
關聯:	CHINESE JOURNAL OF PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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