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    題名: 2 Gbit/s transimpedance amplifier fabricated by 0.35 mu m CMOS technologies
    作者: Kuo,CW;Hsiao,CC;Yang,SC;Chan,YJ
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: PEAKING;CIRCUIT
    日期: 2001
    上傳時間: 2010-07-06 18:32:31 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Integrated CMOS transimpedance, (TZ) amplifier circuits have been designed and fabricated based on a home-made BSIM model. A 0.35 mum CMOS technology was used for circuit realisation, and a capacitive-peaking design to improve the bandwidth of the TZ ampl
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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