High voltage GaN Schottky rectifiers

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题名:	High voltage GaN Schottky rectifiers
作者:	Dang,GT;Zhang,AP;Ren,F;Cao,XNA;Pearton,SJ;Cho,H;Han,J;Chyi,JI;Lee,CM;Chuo,CC;Chu,SNG;Wilson,RG
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	TEMPERATURE-DEPENDENCE;POWER DEVICES;TRANSISTORS;BREAKDOWN;DIODES;FIELD
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:35:41 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Mesa and planar GaN Schottky diode rectifiers vith reverse breakdown voltages (V-RB) up to 550 and >2000 V,respectively. hare been fabricated, The on-state resistance, R-ON, was 6 m Ohm.cm(2) and 0.8 Ohm cm(2), respectivetly, producing figure-of-merit val
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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