Molecular beam epitaxy regrowth and device performance of GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistors using a thin indium passivation layer

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32669

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32669

題名:	Molecular beam epitaxy regrowth and device performance of GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistors using a thin indium passivation layer
作者:	Chen,SS;Lin,CC;Peng,CK;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MBE
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-06 18:36:03 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Using the technique of molecular beam epitaxy, an indium passivation layer as thin as several tens of Angstrom was implemented to protect underlying III-V epilayers from carbon and oxygen contamination. After the subsequent desorption of the passivation l
關聯:	JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	615	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing