Temperature dependence of GaN high breakdown voltage diode rectifiers

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32693

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32693

题名:	Temperature dependence of GaN high breakdown voltage diode rectifiers
作者:	Chyi,JI;Lee,CM;Chuo,CC;Cao,XA;Dang,GT;Zhang,AP;Ren,F;Pearton,SJ;Chu,SNG;Wilson,RG
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	FIELD-EFFECT TRANSISTORS;SCHOTTKY-BARRIER DIODES;HIGH-POWER DEVICES
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:36:54 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The temperature dependence of reverse breakdown voltage (V-RB) and forward turn-on voltage (V-F) of GaN Schottky diode rectifiers is reported. The VRB values display a negative temperature coefficient (-0.92 V K-1 for 25-50 degrees C; -0.17 V K-1 for 50-1
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	619	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing