Pinholelike defects in multistack 1.3 mu m InAs quantum dot laser

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題名:	Pinholelike defects in multistack 1.3 mu m InAs quantum dot laser
作者:	Liu,WS;Chang,HL;Liu,YS;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	INFRARED PHOTODETECTOR;TEMPERATURE;EMISSION;OVERGROWTH;STRAIN;MATRIX
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 09:56:18 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The pinholelike defects often observed in multistack InAs quantum dot structures on GaAs have been investigated comprehensively. Due to the high surface stress of InAs quantum dots, the overgrowth of GaAs and InGaAs capping layers on InAs quantum dots is
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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