Si-diffused GaN for enhancernent-mode GaN MOSFET on Si applications

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題名:	Si-diffused GaN for enhancernent-mode GaN MOSFET on Si applications
作者:	Jang,S;Ren,F;Pearton,SJ;Gila,BP;Hlad,M;Abernathy,CR;Yang,H;Pan,CJ;Chyi,JI;Bove,P;Lahreche,H;Thuret,J
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	FIELD-EFFECT-TRANSISTORS;INSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURES;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;N-TYPE GAN;INVERSION BEHAVIOR;ELECTRICAL CHARACTERIZATION;GATE OXIDE;DIODES;PERFORMANCE;INTERFACE
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 09:56:27 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Si diffusion into GaN was studied as a function of encapsulant type (SiO2 or SiNx) and diffusion temperature. Using a SiO2 encapsulant, the Si diffusion exhibited an activation energy of 0.57 eV with a prefactor of 2.07 X 10(-4) cm(2) sec(-1) in the tempe
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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