Investigation of indium tin oxide/zinc oxide multilayer ohmic contacts to n-type GaN isotype conjunction

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35502

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35502

题名:	Investigation of indium tin oxide/zinc oxide multilayer ohmic contacts to n-type GaN isotype conjunction
作者:	Lee,CT;Yu,QX;Tang,BT;Lee,HY;Hwang,FT
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	ZNO FILMS;TRANSPARENT;DEVICES
日期:	2001
上传时间:	2010-07-07 14:34:18 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The ohmic performance of the ITO/ZnO multilayer deposited on n-type GaN layer was investigated. The best thermal annealing condition achieved for ohmic contact was 5 min at 500 degreesC, in hydrogen ambient. The measured specific contact resistance was 3x
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	533	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing