Enhanced radiative efficiency in blue (In,Ga)N multiple-quantum-well light-emitting diodes with an electron reservoir layer

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35714

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35714

题名:	Enhanced radiative efficiency in blue (In,Ga)N multiple-quantum-well light-emitting diodes with an electron reservoir layer
作者:	Takahashi,Y;Satake,A;Fujiwara,K;Shue,JK;Jahn,U;Kostial,H;Grahn,HT
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	ELECTROLUMINESCENCE INTENSITY;TEMPERATURE;GREEN;DEPENDENCE
日期:	2004
上传时间:	2010-07-07 15:49:38 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The temperature dependence of the electroluminescence (EL) spectral intensity of two blue (In,Ga)N/GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) without and with an additional n-doped (In,Ga)N electron reservoir layer is investigated betwee
關聯:	PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	526	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing