400-nm InGaN-GaN and InGaN-AlGaN multiquantum well light-emitting diodes

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题名:	400-nm InGaN-GaN and InGaN-AlGaN multiquantum well light-emitting diodes
作者:	Chang,SJ;Kuo,CH;Su,YK;Wu,LW;Sheu,JK;Wen,TC;Lai,WC;Chen,JF;Tsai,JM
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY;OPERATION;ALN
日期:	2002
上传时间:	2010-07-07 15:50:30 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The 400-nm In0.05Ga0.95N-GaN MQW light-emitting diode (LED) structure and In0.05Ga0.95N-Al0.1Ga0.9N LED structure were both prepared by organometallic vapor phase epitaxy. It was found that the use of Al0.1Ga0.9N as the material for barrier layers would n
關聯:	IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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