Enhanced output power in an InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diode with an InGaN current-spreading layer

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题名:	Enhanced output power in an InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diode with an InGaN current-spreading layer
作者:	Sheu,JK;Chi,GC;Jou,MJ
贡献者:	光電科學研究中心
日期:	2001
上传时间:	2010-07-07 15:51:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InGaN-GaN multiple quantum-well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) with InGaN current-spreading layer were grown by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) and their characteristics were evaluated by current-voltage (I - V), as well as output power meas
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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