低介電常數材料於電子束微影製程上的應用; Direct Nano pattern Definition for Low-k Dielectric Layer by using Electron Beam Exposure

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题名:	低介電常數材料於電子束微影製程上的應用;Direct Nano pattern Definition for Low-k Dielectric Layer by using Electron Beam Exposure
作者:	賴義凱;Yi-Kai Lai
贡献者:	化學工程與材料工程研究所
关键词:	電子束微影;e-beam
日期:	2001-07-09
上传时间:	2009-09-21 12:18:56 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	隨著半導體技術的進步，金屬導線層的數目增加及導線間的距離不斷縮小，使得元件的尺寸也不斷地縮小，在線寬小於0.25 mm以下，電子訊號在金屬連線間傳送時，金屬連線的電阻-電容延遲時間 (RC delay time)，變成半導體元件速度受限的主要原因，為了降低訊號傳遞時間的延遲，現今已發展以金屬銅 (電阻率為 2.7 mW-cm) 成為導線的連線系統，進而降低金屬導線的電阻值。另一方面則是利用低介電常數 (low-k) 材料來降低電容，傳統上以化學氣相沈積法，長出來的金屬內層介電材料，如TEOS的介電常數值大約為3.9~4.1之間，
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