複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用---子計畫II：具雙金屬合金蕭特基源/汲極接觸的非(複)晶矽化鍺薄膜電晶體(I); The a(poly)-SiGe:H Thin-Film Transistor with Binary Alloy Schottky Source/Drain Contact (I)

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题名:	複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用---子計畫II：具雙金屬合金蕭特基源/汲極接觸的非(複)晶矽化鍺薄膜電晶體(I);The a(poly)-SiGe:H Thin-Film Transistor with Binary Alloy Schottky Source/Drain Contact (I)
作者:	洪志旺
贡献者:	電機工程學系
关键词:	多晶矽鍺;低溫;多晶矽薄膜電晶體;二元合金蕭特基源;Poly SiGe;Low temperature;Poly-silicon thin film transistor;Binary alloy Schottky source;材料科技;電子電機工程類
日期:	2002-07-01
上传时间:	2010-11-03 16:31:45 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	研究期間：9008 ~ 9107
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[電機工程學系] 研究計畫

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