在未來的光纖通訊上,如何降低半導體雷射的起振電流及其對溫度的敏感性,以使其能在惡劣環境下依然擁有良好的工作特性,已成了一件刻不容緩的工作。在理論預測上由於量子點具有突波函數式的能態密度,因此以量子點為活性層的半導體雷射應具有較低的臨界電流密度、較高的溫度穩定性、較高的差動增益與截止頻率,等優良特性。另外在GaAs基板上成長In(Ga)As量子點,可將發光波長伸展至1.3 μm,若以之為活性層製作量子點雷射,不僅可以取代機械強度較弱且製程成本較高的InP基板,更可因為量子點雷射的眾多優異特性,成為未來光纖通訊中的主角。 在此計畫中,我們將利用分子束磊晶技術,直接在GaAs基板成長高品質的量子點,並以此量子點為活性層,成功製作出特性良好的面射型1.3微米砷化銦量子點雷射。在面射型雷射中,由於共振腔過於短小,所以我們將設計並成長具有高反射係數的DBR(Distributed Bragg Reflector)藉此以彌補因短小共振腔所造成的鏡面損失;而在製程上我們將以選擇性氧化的方式,侷限面射型雷射的注入電流和限制雷射光的側像發光模態,藉此以降低雷射的臨界電流密度並降低光損耗。同時,為解決量子點的增益飽和現象,我們將成長多層的量子點增加量子點在基態的增益,以抑制量子點雷射在激態甚至是濕層產生激勵光。所以,在面射型量子點雷射的實行上,我們將以達到1.3微米為目標,並同時具有低臨界電流密度與高特徵溫度的特性。此一研究成果非但能大幅提昇長波長雷射的特性,更可以降低光纖通訊光源模組的價格。 The goal of this project is to develop molecular beam epitaxy grown InAs quantum dot heterostructures and apply them to GaAs based 1.3 mm vertical cavity surface emitting laser. The proposed studies cover the formation of quantum dots, emission wavelength control, and spectra analysis. Several techniques, such as transmission electron microscopy, photoluminescence, modulated spectra, photocurrent and device characterization, will be applied to this work. The ideas proposed in this project are expected to enable the control of the parameters that affect the emission wavelength and efficiency of quantum dots. The performance of these vertical cavity surface emitting laser and can thus be improved. In addition, we plan to establish the technique to grow InP, GaInP and InAsP materials using solid source molecular beam epitaxy. This opens a new dimension for high performance quantum dot devices. 研究期間:9003 ~ 9102