多量子點系統之熱電效應 ; Thermoelectric Properties in Multiple Quantum Dot System

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题名:	多量子點系統之熱電效應;Thermoelectric Properties in Multiple Quantum Dot System
作者:	蕭聖學;Sheng-Xue Xiao
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	量子點;熱電優值;熱電效應;figure of merit;Thermoelectric effect;quantum dot
日期:	2010-07-12
上传时间:	2010-12-09 13:51:33 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學
摘要:	本論文所探討的是將量子點嵌入於絕緣層，並且在絕緣層的兩端連接上金屬電極形成一個多量子點之熱電轉換的系統，並且模擬此系統在庫倫阻斷區域中的電導、熱導、thermal power、以及ZT值。此多量子點的系統以多能階的安德森模型來描述，並且藉由Keldysh格林函數的技巧，來計算電子與熱在穿遂過程中所產生的電流與熱流。當系統操作在線性區域之中，且穿隧率很小的情況之下，雖然電子的庫倫交互作用力對ZT值的影響甚巨，但是仍然可以得到相當不錯的ZT值。The electrical conductance, thermal conductance, thermal power and figure of merit (ZT) of semiconductor quantum dots (QDs) embedded into an insulator matrix connected with metallic electrodes are theoretically investigated in the Coulomb blockade regime. The multilevel Anderson model is used to simulate the multiple QDs junction system. The charge and heat currents in the sequential tunneling process are calculated by the Keldysh Green function technique. In the linear response regime the ZT values are still very impressive in the small tunneling rates case, although the effect of electron Coulomb interaction on ZT is significant.
显示于类别:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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