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    題名: A High Efficiency Broadband Class-E Power Amplifier Using a Reactance Compensation Technique
    作者: Lin,CH;Chang,HY
    貢獻者: 電機工程學系
    關鍵詞: ADDED EFFICIENCY;PA
    日期: 2010
    上傳時間: 2012-03-28 10:09:55 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: This letter presents a high efficiency broadband fully integrated class-E power amplifier (PA) using a 0.5 mu m enhancement/depletion-pseudomorphic high-electron mobility transistor (E/D-PHEMT) process. The proposed PA is based on a class-E topology with a reactance compensation technique. To achieve high efficiency and broad bandwidth, the reactance compensation component is employed in the load network of the class-E PA. From 1.5 to 3.8 GHz, this circuit demonstrates a power added efficiency (PAE) of 62% and an output 1 dB compression point (P(1 dB)) of higher than 27 dBm.
    關聯: IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
    顯示於類別:[電機工程學系] 期刊論文

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