斜向入射干涉儀之研究

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題名:	斜向入射干涉儀之研究
作者:	張明文
貢獻者:	中央大學光電科學研究所
關鍵詞:	光電工程;干涉儀;粗糙度測量;全像光學元件;Interferometer;Roughness measurement;Holographic optical elements
日期:	1995-09-01
上傳時間:	2012-10-01 14:59:45 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	我們在發展鑽石研磨機時,必須量測大型元件表面的粗糙度來作為改善的依據,但是傳統上量測粗糙度所使用的探針輪廓儀(Stylus profiler)的量測範圍不夠大,而且大型元件很難直接置入輪廓儀作量測,所以輪廓儀不適用於大型元件粗糙度的量測,同時這種接觸式的量測也容易損傷元件表面;若另行採用量測反射率(Specular reflectance)以間接求出粗糙度的非接觸量測方式,雖然足以避免元件表面的損傷,但是在實際檢測上非常不方便,同時也只能就幾個點作粗糙度的量測,存在一定的量測誤差;而在1974年所發表的斜向入射干涉儀(Oblique-incident interferometer)也是一種非接觸的量測方法,不但體積小,而且可以由干涉條紋直接求出量測區域中粗糙度的大小與分布,於是此干涉儀可以直接置於元件上作量測,達到線上檢測粗糙度的需求.在本研究計畫中,我們除了引入且經完美拋光的樣品作為參考面,並藉此面的反射光作為參考光,取代了原使用的零級繞射光的功能,於是這種新的架構有二個優美: (1)可應用PZT驅動參考面,使相位重建的工作得以自動化;(2)可選擇最接近待測面曲率的參考面,以得到適當的干涉條紋的間距.並基於我們研究全像光學元件(HOEs)的經驗,我們將自行設計、製作與測試所需要的光柵元件,完成斜向入射干涉儀的建立與量測. ; 研究期間 8308 ~ 8407
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究所] 研究計畫

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