活性離子蝕刻技術在高速場效應電晶體之應用(II);The Technology of Reactive Ion Etching (RIE) for the Fabrication of Heterostructure High Speed Transistors (II)

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程學系 > 研究計畫 > Item 987654321/57328

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/57328

题名:	活性離子蝕刻技術在高速場效應電晶體之應用(II);The Technology of Reactive Ion Etching (RIE) for the Fabrication of Heterostructure High Speed Transistors (II)
作者:	詹益仁
贡献者:	中央大學電機工程學系
关键词:	電子電機工程類;活性離子蝕刻;選擇性蝕刻;微波積體電路;四元化合物;異質結構;Reactive ion etching (RIE);Selective etching;Microwave integrated circuit;Quaternary alloy;Heterostructure
日期:	1999-09-01
上传时间:	2012-10-01 15:18:32 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	研究期間 8708 ~ 8807
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[電機工程學系] 研究計畫

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	258	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing