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    題名: 摻銠鈦酸鋇單晶的氧化還原與光折變性質
    作者: 黃佳琪;Jia-Qi Huang
    貢獻者: 光電科學研究所
    關鍵詞: 摻銠鈦酸鋇單晶;氧化還原;光致吸收光譜;雙波混合;光致衰減;高溫導電率;電荷轉移;光折變
    日期: 2001-07-03
    上傳時間: 2009-09-22 10:24:55 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 我們使用一系列不同氣氛處理氧偏壓(as-grown、10-5 、10-10 、10-12 與10-14 )的摻銠鈦酸鋇單晶,探討在不同入射波長(442 、465 、514 、532 與633 )下的光學與光折變性質。同時嘗試由光致吸收光譜配合雙波混合,找出電荷轉移與入射光波長的關係。 最後為瞭解氧偏壓大小對材料導電率的影響為何,同時找出不同氧偏壓和Defect Chemistry之間的一些關聯性。我們將一摻銠鈦酸鋇晶體進行不同還原程度的高溫導電率之量測,所使用的溫度分別為800℃、900℃與1000℃。由實驗的結果發現不同溫度下, 對 ( :高溫導電率, :氧偏壓)的圖形趨勢皆為V字型,且n-type及p-type區域的斜率分別非常接近理論值的 和 。 none
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

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