雷射輔助化學氣相沉積法成長氮氧化矽膜; Silicon Oxynitride Grown by Laser Assisted Chemical Vapor Deposition

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题名:	雷射輔助化學氣相沉積法成長氮氧化矽膜;Silicon Oxynitride Grown by Laser Assisted Chemical Vapor Deposition
作者:	李宗信;Tsung-Hsin Lee
贡献者:	光電科學研究所
关键词:	雷射;化學氣相沉積;氮氧化矽;電漿;laser;CVD;Silicon Oxynitride;plasma
日期:	2002-07-06
上传时间:	2009-09-22 10:26:30 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本文以實驗室自行研發組裝的二氧化碳雷射，結合傳統電漿激發式化學氣相沉積系統(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 簡稱PECVD)，形成新式薄膜沉積系統，我們稱此種以雷射輔助的PECVD製程稱之為LAPECVD(Laser Assisted PECVD)。我們利用此系統在波導材料的研究上，以應用於各式光通訊元件之研發。在本論中利用LAPECVD系統，引導二氧化碳雷射斜向到反應室中，照射在矽基板上，在低溫製程下（55oC），可製作出低傳輸損耗、表面平整度佳、良好的抗氧化性等性質的氮氧化矽(SiOxNy)膜，且藉由反應氣體矽烷(SiH4)與一氧化二氮(N2O，俗稱笑氣)比例上不同，可製作出所需的折射率之波導材料。
显示于类别:	[光電科學研究所] 博碩士論文

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