佈植氮離子與碳離子於未摻雜氮化鎵之特性研究Coimplantation; of N ion and C ion into undoped GaN

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題名:	佈植氮離子與碳離子於未摻雜氮化鎵之特性研究Coimplantation;of N ion and C ion into undoped GaN
作者:	邵勝添;Sheng-Tien Shao
貢獻者:	光電科學研究所
關鍵詞:	離子佈植;氮;氮化鎵;碳;GaN;C;implant;N
日期:	2003-06-30
上傳時間:	2009-09-22 10:27:35 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	論文摘要本文的實驗是研究氮離子和碳離子同時及分別佈植於未摻雜之氮化鎵的特性研究，氮離子以45keV、90keV、200keV 等不同能量分別搭配2×1012 cm-2、4.5×1012cm-2、1×1013cm-2 等不同佈植濃度，而碳離子以30keV、65keV、150keV 等不同能量分別搭配1.8×1012 cm-2、4 ×1012cm-2、9.5×1012cm-2 等不同佈植濃度，佈植在載子濃度約3.52× 1016cm-3 之未摻雜之氮化鎵上，形成一層佈植深度約350nm，佈植濃度約達5×1017cm-3 的佈植層，藉以瞭解氮離子和碳離子佈植後的氮化試片特性。在光特性方面，利用拉曼(Raman) 量測顯示由佈植所造成的載子濃度之改變可由A1(LO) 模態之強度變化而初步得知；利用光激發螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示，氮離子佈植會降低黃光區的發光強度且在波長683nm 附近會產生一個波峰，而碳離子將增強黃光放射的發光機制且在波長683nm 附近亦會產生一個波峰。在電性方面，由電流-電壓量測顯示，在相同的電壓下，經過氮離子和碳離子佈植後的試片再經過熱退火處理過後與未佈植的試片作比較，可以發現到其電流上的差異，以有佈植且經過900oC 熱處理的試片有著較佳的絕緣性。Coimplantation of N ion and C ion into undoped GaN
顯示於類別:	[光電科學研究所] 博碩士論文

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