佈植矽離子與佈植氮離子於氧化鋅膜之特性分析及氧化鋅膜與金屬的歐姆接觸研究; Analysis the characteristic of implant Si and implant N in ZnO and to investigate the ohmic contact with ZnO and metal

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題名:	佈植矽離子與佈植氮離子於氧化鋅膜之特性分析及氧化鋅膜與金屬的歐姆接觸研究;Analysis the characteristic of implant Si and implant N in ZnO and to investigate the ohmic contact with ZnO and metal
作者:	張國慶;kuo-Ching Chang
貢獻者:	光電科學研究所
關鍵詞:	氧化鋅;電阻率;穿透率;ZnO;resistivity;transmittance
日期:	2004-07-07
上傳時間:	2009-09-22 10:29:21 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	論文摘要本文的實驗是研究氮離子和矽離子分別佈植於未摻雜之氧化鋅膜(ZnO)的特性研究，氮離子以50keV、100keV、190keV 等不同能量分別搭配2×1014 cm-2、5×1014cm-2、1×1015cm-2 等不同佈植濃度，而矽離子以60keV、100keV、190keV 等不同能量分別搭配2×1014 cm-2、6.5×1014cm-2、1.7×1015cm-2 等不同佈植濃度，藉以瞭解氮離子和矽離子佈植後的氧化鋅膜(ZnO)的特性，並同時分析未摻雜之氧化鋅膜的特性研究。首先以射頻（Radio Frequency，RF）濺鍍(sputtering)系統將氧化鋅(ZnO)材料濺鍍於藍寶石(Al2O3)基板上，形成氧化鋅透明導電薄膜，再經由適當的熱處理，並且針對不同的熱處理狀況研究其特性。在未佈植的條件方面，利用傳輸線模型元件量測其電學特性，並把氧化鋅膜預先作對蓋熱處理，然後蒸鍍鈦/金 (Ti/Au) 金屬後未做熱處理即形成特徵接觸電阻值達1.31×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。在佈植矽方面，未做熱處理即形成特徵接觸電阻值為4.52×10-6 Ω-cm2之歐姆接觸，而在佈植氮方面，未做熱處理即形成特徵接觸電阻值更達到6.01×10-8 Ω-cm2之極佳的歐姆接觸。在光特性方面，利用光激發螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示，若使用熱處理對蓋的話，則可以提高ZnO波峰約380nm (near band edge)的強度，而且也可以抑制這些在表面缺陷，而這些缺陷也就是的氧的缺位(O vacancies)以及鋅的間隙(Zn interstitials) [4].，以光譜系統量測其穿透特性、及原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)觀察其表面微觀結構特性、以X光單晶繞射(X-Ray Diffractometer，XRD)系統觀察其結晶特性、以霍爾量測(Hall measurement)系統判斷其半導體基本參數，最後以AC-2量測其每個試片的功函數(work function)，研究其和濺鍍的瓦數(power)、佈植的種類與其功函數的關係、並藉由薄膜材料中氧缺位導電機制來合理並成功的解釋上述所有量測及觀察到的現象。
顯示於類別:	[光電科學研究所] 博碩士論文

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