凡德瓦磊晶成長氮化鎵與其在電子元件之應用;Van Der Waals Epitaxy of Gan for Electronic Device Applications

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Title:	凡德瓦磊晶成長氮化鎵與其在電子元件之應用;Van Der Waals Epitaxy of Gan for Electronic Device Applications
Authors:	綦振瀛;蘇清源
Contributors:	國立中央大學電機工程學系
Keywords:	氮化鎵;有機金屬化學蒸氣沉積;凡德瓦磊晶;石墨烯;氮化硼;多晶AlN;矽;GaN;MOCVD;van der Waals epitaxy;graphene;BN;poly-AlN;Si
Date:	2021-12-21
Issue Date:	2021-12-23 14:41:23 (UTC+8)
Publisher:	科技部
Abstract:	隨著5G通訊系統、再生能源系統、雲端機房、電動車/自駕車、人工智慧、機器人與物聯網的普及，氮化鎵(GaN)電子元件的市場規模預期可逐年快速成長。然而目前GaN元件大多製作於SiC，GaN-on-Si與GaN基板上，各自受限於磊晶厚度、品質、基板價格、尺寸等因素，造成元件規格與成本的瓶頸。本計畫擬以有機金屬化學蒸氣沉積法進行凡德瓦磊晶，成長GaN於有石墨烯或氮化硼二維材料覆蓋之多晶AlN基板、(111)與(100)矽基板，以突破前述基板所引起的瓶頸，在GaN材料領域開創新局。
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering] Research Project

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