在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流，以進行表面陽極氧化合成奈米結構;Transforming the Type of Interface Barrier to Make Hole Current as of the Dominant Current in Heavily Doped N-Type Semiconductors or in High-Purity Silicon Anodizes Its Surface for Synthesizing Nano-Structure

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題名:	在重摻雜N型半導體或高純度矽晶材料中轉換介面壁壘型態使電洞流為主控電流，以進行表面陽極氧化合成奈米結構;Transforming the Type of Interface Barrier to Make Hole Current as of the Dominant Current in Heavily Doped N-Type Semiconductors or in High-Purity Silicon Anodizes Its Surface for Synthesizing Nano-Structure
作者:	國立中央大學機械工程學系
貢獻者:	國立中央大學機械工程學系
關鍵詞:	奈米結構;N型半導體基板;高純度超高電阻率半導體基板;陽極氧化;氫氟酸為底電解液;低维度多孔材料;Nano-structure;N-type semiconductor substrate;high-purity-ultrahigh-resistivity semiconductor substrate;anodizing;hydrofluoric based electrolyte;low-dimensional porous materials
日期:	2022-07-26
上傳時間:	2022-07-27 11:51:38 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	採用直接晶圓鍵合技術將N型半導體基板中少數載流子電洞流藉著PN接面模式轉為主控電流的方法，有效率快速陽極氧化缺乏電洞的半導體材料。主要概念是使電洞由電壓供應器輸入時，將傳統通過金屬/半導體接面（主控電流＝多數載流子=電子）的傳輸模式以插入P型中介電極來轉成 PN 接面（主控電流＝少數載流子=電洞）模式，改變N型半導體基板中的電洞的傳輸機制來達到快速、低耗能，有效率的陽極氧化製程。這製程預期可涵蓋大多數N型其他類半導體以及高阻抗矽晶材料來創建新穎的奈米結構。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[機械工程學系] 研究計畫

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