氧化鋁基板上積體化微波降頻器電路之研製

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題名:	氧化鋁基板上積體化微波降頻器電路之研製
作者:	邱思涵;She-Han Cho
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	微波;降頻器;microwave;downconverter
日期:	2000-06-15
上傳時間:	2009-09-22 11:38:38 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文之主要內容在於利用實驗室自行研發完成的螺旋型電感、披覆式電容等被動元件，以及建好大訊號模型之主動元件，在高阻值且低微波損耗之氧化鋁基板上以MIC之型式，實際研製包括射頻前端降頻器電路中1.8 GHz之微波緩衝放大器以及1.9~2.5 GHz之壓控振盪器與2.4 GHz之平衡型混波器。在放大器之設計上，我們利用已建立大訊號模型之BJT為主動元件，配合薄膜製程完成之被動元件，並以打線做主被動元件之連接，成功地研製一1.8 GHz之放大器，在特性量測上，我們針對小訊號S參數、輸出功率、第三階交互調變失真、向量誤差百分比做量測，也針對電路做GMSK與π/4DQPSK的調變訊號量測。在1.9~2.5 GHz壓控振盪器之設計上，我們利用已建立大訊號模型之MESFET為主動元件，配合薄膜製程完成之電感、電容以及一已包裝之壓變電容做調變頻率之用，量測包括振盪頻率、輸出功率、相位雜訊等特性。在2.4 GHz平衡型混波器之設計上，我們利用BJT為混頻元件，並配合2.4 GHz與200 MHz之平衡器來增加隔絕度，量測包括轉換增益、隔絕度、工作頻寬、第三階交互調變截斷點、向量誤差百分比等特性，另外，也針對電路做GMSK與π/4DQPSK的調變訊號量測。從以上電路之設計模擬與特性量測結果的吻合度觀察，我們可以驗證主被動元件模型的準確度與氧化鋁基板上薄膜製程技術之可行性，並朝著整合包括接收端與發射端之射頻前端電路來努力。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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